Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
6.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,958
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,159
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 0,958
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 1,159
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
75 - 300 | € 0,958 | € 71,82 |
375 - 1425 | € 0,932 | € 69,93 |
1500 - 3675 | € 0,908 | € 68,12 |
3750+ | € 0,887 | € 66,54 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
6.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas