N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183

RS kodas: 146-4116Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: FDMS86183
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

PQFN8

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

12.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

63 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Plotis

5.85mm

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Serija

PowerTrench

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Aukštis

1.05mm

Produkto aprašymas

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 1,365

Each (In a Pack of 25) (be PVM)

€ 1,652

Each (In a Pack of 25) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 1,365

Each (In a Pack of 25) (be PVM)

€ 1,652

Each (In a Pack of 25) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
25 - 75€ 1,365€ 34,12
100 - 475€ 1,102€ 27,56
500 - 975€ 0,914€ 22,84
1000 - 2975€ 0,744€ 18,61
3000+€ 0,721€ 18,03

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

PQFN8

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

12.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

63 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Plotis

5.85mm

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Serija

PowerTrench

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Aukštis

1.05mm

Produkto aprašymas

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor