Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
78 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 @ 10 V nC
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,365
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,652
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,365
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,652
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,365 | € 13,65 |
100 - 490 | € 1,102 | € 11,02 |
500 - 990 | € 0,841 | € 8,41 |
1000 - 1490 | € 0,761 | € 7,61 |
1500+ | € 0,742 | € 7,42 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
78 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 @ 10 V nC
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas