Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180

RS kodas: 146-4098Gamintojas: ON SemiconductorGamintojo kodas: FDMS86180
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

151 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

PQFN

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

138 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Plotis

6mm

Number of Elements per Chip

2

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 @ 10 V nC

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Aukštis

1.05mm

Serija

PowerTrench

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Produkto aprašymas

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 2,835

Each (In a Pack of 10) (be PVM)

€ 3,43

Each (In a Pack of 10) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 2,835

Each (In a Pack of 10) (be PVM)

€ 3,43

Each (In a Pack of 10) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
10 - 90€ 2,835€ 28,35
100 - 490€ 2,31€ 23,10
500 - 990€ 2,10€ 21,00
1000 - 1490€ 1,838€ 18,38
1500+€ 1,785€ 17,85

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

151 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

PQFN

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

138 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Plotis

6mm

Number of Elements per Chip

2

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 @ 10 V nC

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Aukštis

1.05mm

Serija

PowerTrench

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Produkto aprašymas

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor