Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
138 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 @ 10 V nC
Plotis
6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,97
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,628
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,97
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
138 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 @ 10 V nC
Plotis
6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas