Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
218 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 @ 10 V nC
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,81
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,98
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,81
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,98
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
218 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 @ 10 V nC
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas