Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
211 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.09 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,384
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,465
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,384
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,465
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
211 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PQFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.09 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.85mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas