Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,102
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,334
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,102
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,334
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Produkto aprašymas