Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO220F
Serija
SuperFET III
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Aukštis
15.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,362
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,362
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO220F
Serija
SuperFET III
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Aukštis
15.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas