Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
SuperFET III
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
417 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Plotis
5.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
136 @ 10 V nC
Aukštis
21.08mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 10,71
už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,96
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 10,71
už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,96
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 24 | € 10,71 |
25 - 49 | € 9,87 |
50 - 224 | € 9,03 |
225+ | € 8,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
SuperFET III
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
417 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Plotis
5.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
136 @ 10 V nC
Aukštis
21.08mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas